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onsemi FDWS9511L-F085
| Artikelnummer: | FDWS9511L-F085 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 40V 30A 8DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi FDWS9511L-F085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDWS9511L-F085.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5.1x6.3) Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 30A, 10V Verlustleistung (max) 68.2W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) Grundproduktnummer FDWS9511 -
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